Ақылбеков Ә. Т., Кривобоков В. П., Даулетбекова А. К
жүктеу/скачать 4,15 Mb. Pdf көрінісі
|
Фасе́тка ско́ла Chip facet Элемент поверхности хрупкого разрушения металла, в пределах которого разрушение развивается в одной или близких
плоскостях. Сыну фасеткасы Chip facet Металдың морт қирау бетінің элементі. Бұл элемент ішінде қирау бір немесе жақын орналасқан жазықтықтарда жүзеге асады.
Fermion
Частица или квазичастица, обладающая полуцелым спином и
статистике Ферми-Дирака. Фермион Fermion
Жартылай бүтін спинге ие және Ферми- Дирак статистикасына бағынатын бӛлшек немесе квазибӛлшек.
Lichtenberg figures Картины распределения искровых каналов, стелющихся по поверхности твердого диэлектрика при
так называемом скользящем разряде. Впервые наблюдались Г.К.Лихтенбергом (G. Ch/ Lichtenberg) в 1777.
Lichtenberg figures Сырғанау разряды кезінде қатты диэлектрик бетіндегі ұшқындық каналдардың таралу бейнесі. Бұл бейнені ең алғаш 1777 жылы Г.К.Лихтенберг (G. Ch/ Lichtenberg) байқаған. Фигуры травления Etch figures, etch patterns Правильно ограниченные углубления (реже холмики), образующиеся на поверхности кристаллов в процессе травления. Фигуры травления закономерно ориентировано относительно кристаллографических направлений; они отображают симметрию граней и дефекты структуры кристалла. Ӛңдеу фигуралары Etch figures, etch patterns Ӛңдеу процесі кезінде кристал түзілетін дұрыс
шектелген (кӛбінесе холмики) тереңдеулер. Ӛңдеу
кристаллографиялық бағыттарға қатысты заңдылықпен бағдарланған: олар қырлар симметриясы мен кристалл құрылысының ақауларын кӛрсетеді. Филаментация Filamentation 1.
мелкомасштабных неоднородностей поля при первоначально однородном волновом фронте. 2. Расслоение вещества.
Filamentation 1. Бастапқы біртекті толқынды фронт кезінде ӛрістің ұсақмасштабты біртексіздіктерінің спонтанды туындауы мен ӛсуі. 2. Заттың қабаттарға бӛлінуі. Фи́льтры я́дерные (трековые) Nuclear filter Микропористый фильтр, образующийся при облучении полимерной плѐнки
ускоренными тяжѐлыми ионами с
вытравливанием разрушенных участков, полимера. Ядролық (тректік) сүзгілер Nuclear filter Полимер қабыршықты үдетілген ауыр иондармен сәулелендіру кезінде полимердің қираған учаскілерін алып тастау арқылы жасалған микроқуысты сүзгі. Фингал-процесс Glazing Разновидность остекловывания высокоактивных концентратов; заключается в одновременной выпарке, спекании и плавлении с суспензией, содержащей
Glazing Жоғары белсенді концентраттардың шынылануының бір түрі; буландыру, пісіру және құрамында кремнезем-бораты бар суспензиямен балқыту процестерін бірлестіре 343
кремнезѐм-бораты. отырып жүргізуге негізделеді. Фиссиум Fissible material Ядерное топливо, легированное элементами-продуктами деления. Фиссиум Fissible material Бӛліну ӛнімдерінің элементтерімен легирленген ядролық отын Фле́кинг Flaking
Шелушение поверхности в виде слоев неправильной формы или отделение от матрицы слоя сплошной пленки.
Flaking
Беттің дұрыс
емес пішін
түріндегі қабыршақтануы немесе қабат матрицасынан тұтас қабыршықтың бӛлінуі.
шелушение поверхности, вызванное облучением
беттің
сәулелену арқылы
туындайтын қабыршықтануы. Фли́ккер-эффе́кт Flicker effect Медленные флуктуации токов и
в электровакуумных и газоразрядных приборах, обусловленные испарением атомов вещества катода; диффузией их из глубинных слоѐв к поверхности; бомбардировкой катода положительными ионами, которая приводит к распылению, внедрению ионов и образованию слоѐв примесных атомов; изменением структуры и физических характеристик катода. Фли́ккер-эффе́кт Flicker effect Катод заты
атомдарының булануына, атомдардың ішкі қабаттардан бетке қарай диффузиялануына, тозаңдануға, иондарды енгізуге және
қоспалық қабаттардың түзілуіне әкелетін катодты оң иондармен ақтылауға, катодтың құрылымы мен физикалық сипаттамаларының ӛзгеруіне негізделетін электровакуумдық және газды разрядты құралдардағы токтар
мен кернеулердің баяу флуктуациясы. Флуктуа́ции Fluctuation, от лат. fluctuatio – колебание Случайные отклонения физических величин от их средних значений. — флуктуации электрические / electric fluctuation — хаотические изменения потенциалов, токов и
в электрических цепях и линиях передачи, вызываемые тепловым движением носителей заряда и др. физическими процессами в веществе, обусловленными дискретной природой электричества, а также случайными изменениями и нестабильностью характеристик цепей. Флуктуа́ция Fluctuation, лат. fluctuatio – тесбеліс Физикалық шаманың оның орташа мәнінен кездейсоқ ауытқуы. — электрлік флуктуациялар / electric fluctuation — Электр тогының дискретті табиғатына, сонымен
қатар кездейсоқ ӛзгерістердің және тізбек сипаттамаларының тұрақсыздығына негізделген,
заряд тасымалдағыштардың жылулық қозғалысы мен заттағы басқа да физикалық құбылыстар нәтижесіндегі электр тізбектерінде және берілу желілерінде потенциалдардың, токтар мен зарядтардың хаостық ӛзгерісі.
Fluctuon Квазичастица, наблюдающаяся в неупорядоченных сплавах и подобных им системах В неупорядоченных сплавах вокруг электрона образуется флуктуация концентрации одной из компонент сплава, которая
создает для
электрона потенциальную яму и, захватив его, тем самым может
сделать флуктуацию Флуктуон Fluctuon Реттелмеген қорытпаларда немесе оларға ұқсас жүйелерде бақыланатын квазибӛлшек. Реттелмеген қорытпаларда электронның айналасында қорытпаның бір компоненті концентрациясының флуктуациясы пайда болады. Ол электрон үшін потенциалды шұңқыр жасайды және оны қармай отырып флуктуацияны тұрақты күйге
әкеледі. 344
устойчивой. Такие устойчивые образования и являются флуктуонами. Механизм образования флуктуонов близок к
Осындай тұрақты түзілістер флуктуондар деп аталады. Флуктуондардың пайда
болу механизмі полярондардың пайда
болу механизміне ұқсас. Флю́енс Fluence
Отношение полного числа частиц, про- шедших за некоторый промежуток времени через площадку, перпендикулярную направлению потока частиц, к площади этой площадки.
Fluence
Бӛлшектер ағынының бағытына перпендикуляр бет арқылы қандай да бір уақыт аралығында ӛткен бӛлшектердің толық санының осы беттің ауданына қатынасы. Флю́енс нейтро́нов Neutron fluence Величина, равная
отношению числа
нейтронов, падающих за данный интервал времени
на некоторую поверхность, расположенную перпендикулярно направлению распространения нейтронного потока, к площади этой поверхности.
Neutron fluence Берілген уақыт аралығында қандай да нейтрондар ағынының таралу бағытына перпендикуляр орналасқан бетке түсетін нейтрондар санының осы беттің ауданына қатынасына тең шама.
Fluorescence Длительное послесвечение вещества на собственной длине волны после накачки. Флюоресце́нция Fluorescence Толтырылғаннан кейінгі заттың меншікті толқын ұзындығында ұзақ уақыт сәуле шығаруы.
Plasma focus Нестационарный сгусток
плотной высокотемпературной дейтериевой плазмы, являющийся локализованным источником нейтронов и жестких излучений; так же называют и электроразрядную установку, в которой получается эта плазма. Пла́змалық фо́кус Plasma focus Нейтрондар мен
қатты сәулелердің оқшауланған кӛзі болып табылатын тығыз жоғары
температуралы дейтерий плазмасының стационар емес түзілісі; осы плазма
алынатын электрлі разрядты қондырғыны да осылай атайды. Фокусиро́вка Focus, focusing Создание сходящихся волновых фронтов сферической или цилиндрической формы. Тоғыстыру Focus, focusing Сфералық немесе цилиндрлік пішіндегі түйісетін толқындық шептерді түзу. самофокусировка в ускорителях / self- focusing — свойство релятивистских электронных пучков, содержащих положительные ионы,
образовывать равновесные («самофокусирующиеся») конфигурации. үдеткіштегі өзіндік тоғысу / self-focusing — құрамында оң иондары бар релятивистік электрондар ағының тепе-теңдік («ӛздігінен тоғысатын») конфигурацияларды түзу
қасиеті. фокусировка жесткая / strong focusing — фокусировка магнитным полем
со знакопеременным градиентом. қатты тоғысу / strong focusing — таңбасы ауыспалы градиентті магнит
ӛрісімен тоғысыстыру. фокусировка сильная / strong focusing — фокусировка частиц в ускорителе, при которой частота бетатронных (поперечных) колебаний частицы больше
частоты обращения. күшті тоғысу / strong focusing — бӛлшектердің бетатрондық тербеліс жиілігі айналу жиілігінен артық болатын үдеткіштегі бӛлшектердің тоғысуы. 345
фокусировка частиц в ускорителе, при которой один оборот частица совершает меньше одного бетатронного (поперечного) колебания. К слабой
фокусировке относится, например, фокусировка частиц магнитным полем с постоянным градиентом индукции. әлсіз тоғысу / weak focusing — бӛлшектердің айналу жиілігі бетатрондық (кӛлденең) тербеліс жиілігінен артық
болатын үдеткіштегі бӛлшектердің тоғысуы. Әлсіз
тоғысуға, мысалы,
бӛлшектерді индукция градиенті тұрақты магнит ӛрісімен тоғыстыру жатады.
создание условий, необходимых для устойчивого движения заряженных частиц в ускорителях и ряде других приборов. бөлшектердің тоғысуы / particle focusing — үдеткіштер мен басқа
да бірқатар құрылғыларда зарядталған бӛлшектердің орнықты қозғалысына жағдай жасау. фокусировка частиц в ускорителе / focusing of particle flux — обеспечение устойчивости поперечного движения ускоряемых заряженных частиц. үдеткіштегі бөлшектердің тоғысуы / focusing of particle flux — үдетіліп жатқан зарядталған бӛлшектердің кӛлденең қозғалысының орнықтылығын қамтамасыз ету.
Phonon
Квазичастица, сопоставляемая волне смещения атомов (ионов) и молекул из положения равновесия. Представляет собой квант колебательного движения атомов кристалла. Концепция фонона оказалась очень плодотворной в физике твѐрдого тела. В кристаллических материалах атомы активно взаимодействуют между собой, и рассматривать в них такие термодинамические явления, как колебания отдельных атомов,
затруднительно — получаются огромные системы
из триллионов связанных между
собой линейных дифференциальных уравнений, решить которые
прямыми методами невозможно. Колебания атомов кристалла заменяются распространением в веществе системы звуковых волн, квантами которых и являются фононы. Спин фонона равен единице (в
единицах h).
Фонон принадлежит к числу
бозонов и описывается статистикой Бозе-Эйнштейна. Фононы и их взаимодействие с электронами играют
фундаментальную роль
в современных представлениях о физике сверхпроводников. При температуре T=0 K число фононов равно нулю, а при повышении температуры оно возрастает пропорционально T 3 . Фонон Phonon
Кристалл торындағы атомдар (иондар) мен молекулалардың тепе-теңдік күйінен ығысу толқынына сәйкес квазибӛлшек. Кристалл атомдарының тербелмелі қозғалысының кванты болып
табылады. Фонон
тұжырымдамасы қатты дене физикасында ӛте жемісті болды. Кристалл материалдарда атомдар ӛзара белсенді әрекеттеседі, және оларда жекелеген атомдардың тербелісі сияқты термодинамикалық құбылыстарды зарттеу ӛте қиын. Себебі, пайда болған ӛте үлкен триллиондаған сызықты дифференциалды теңдеулерден тұратын ӛзара байланысқан жүйелерді тікелей әдістер арқылы шешу мүмкін емес. Кристалдағы атомдардың тербелісі заттағы дыбыстық толқындар жүйесінің таралуымен алмастырылады, ал
фонондар осы
толқындардың кванты болып табылады. Фононның спині бірге тең (һ бірлігінде). Фонон бозондарға жатады және Бозе- Эйнштейн статистикасымен сипатталады. Фонондар мен олардың электрондармен ӛзара
әсерлесуі асқын
ӛткізгіштер физикасындағы қазіргі кӛзқарастарда іргелі рӛл атқарады. T=0K температурада фонондар саны нолге тең, ал температура жоғарылаған сайын ол T 3 пропорционал ӛседі. Форвакуум Forevacuum Вакуумное состояние газа в интервале давлений 10 2
Создается в
Forevacuum Газдың 10 2 -10-1Па қысым аралығындағы вакуумдық күйі. Вакуумдық жүйелерде 346
вакуумных системах форвакуумными насосами перед
включением высоковакуумных насосов и поддерживается на выпуске последних. форвакуумдық насостардың кӛмегімен жоғары вакуумдық насостарды қосудың алдында жасалады.
Electromagnetic forming Процесс формирования металла прямым приложением интенсивного кратковременного магнитного поля.
Заготовка формируется без механического контакта прохождением импульса электрического тока
через формообразующий виток. Также известно как магнитно-импульсное формоизменение.
Electromagnetic forming Металдың қарқынды қысқа мерзімді магнит ӛрісін тура түсіру арқылы қалыптастыру процесі. Дайындық механикалық жанасусыз пішін түзетін орам арқылы электр тогы импулсінің ӛтуі нәтижесінде қалыптасады. Сондай-ақ магнитті-импульстік пішін ӛзгерту деген атпен де белгілі.
Langmuir equation Аналитическая зависимость электрического тока между двумя электродами в вакууме от разности потенциалов между ними.
Конкретный вид формулы зависит от формы
электродов и геометрии межэлектродного пространства, но при всех простых геометриях (и в ряде более сложных конфигураций) из неѐ следует, что ток пропорционален напряжению в степени три вторых.
Langmuir equation Вакуумдағы екі электрод арасындағы электр тогының ондағы потенциалдар айырмасына аналитикалық тәуелділігі. Формуланың нақты түрі электрод формасына және электрод аралық кеңістіктің геометриясына тәуелді, алайда қарапайым геометрияда ток кернеудің екіден
үш дәрежесіне пропорционал болады.
Rutherford euqation Формула для эффективного поперечного
рассеяния нерелятивистских заряженных точечных частиц,
взаимодействующих по закону Кулона; получена Э. Резерфордом в 1911г. Резерфо́рд формуласы Rutherford euqation Кулон заңы
бойынша әсерлесетін, релятивистік емес нүктелік зарядталған бӛлшектердің шашырауының
жылы Э.Резерфорд алған. Формфа́ктор Shape factor Функция, характеризующая прост- ранственное распределение электрического заряда или магнитного момента внутри атомного ядра, или элементарной частицы. — формфактор атомный / atomic shape factor — характеризует рассеивающую способность атома в элементарной ячейке.
Shape factor Атом ядросының ішіндегі немесе элементар бӛлшектегі электр заряды немесе магнит моментінің кеңістіктік таралуын сипаттайтын функция. — атомдық формфактор / atomic shape factor — элементар ұяшықтағы атомның шашырату қасиетін сипаттайды.
жүктеу/скачать 4,15 Mb. Достарыңызбен бөлісу:
|