Дендри́т  Dendrite  Выросший  из  расплава  кристаллит,  обладающий древовидным строением

47 

 

действием  внешних  факторов,  например  в 

результате  облучения)  из  пассивного 

состояния в активное. 

фактор 

әсерінен, 

мысалы 

сәулелену 

нәтижесінде) белсенді күйге кӛшуі. 

Деполимериза́ция радиационная 

Depolymerization 

Деструкция  полимеров  под  действием 

излучения. Заметно изменяет их свойства. 

Радиациялық полимерсіздену 

Depolymerization 

Сәулелену 

әсерінен 

полимерлердің 

құрылымсыздануы. 

Олардың 

қасиетін 

айтарлықтай ӛзгертеді. 

Деполяриза́ция 

Depolarization  

Снижение  величины  поляризации  или 

смещение  потенциала  электрода  ближе  к 

равновесному (стационарному) из-за утечки 

с  него  электрических  зарядов  вследствие 

реакций 

электрохимического 

восстановления  или  окисления  при  работе 

гальванических 

элементов 

и 

при 

электролизе.  Вещества,  участвующие  в 

таких 

реакциях, 

называются 

деполяризаторами.  

См. также поляризация. 

Поляризацияның тоқтауы 

Depolarization  

Поляризация  шамасының  тӛмендеуі  немесе 

гальваникалық  элементтің  жұмысы  және 

электролизі 

кезінде, 

электрохимиялық 

қалпына  келтіру  реакциясы  немесе  тотығуы 

салдарынан 

электрлік 

зарядтардың 

жылыстауынан болатын тепе тең (стационар) 

күйге 

қарай 

электрод 

потенциалының 

ығысуы. 

Сон. қ. қараңыз: поляризация. 

 

Десорбция  

Desorption(от 

лат. 

de— 

приставка, 

обозначающая 

удаление  и 

sorbeo 

-

поглощаю) 

Процесс, обратный абсорбции и адсорбции, 

при 

котором 

поглощенное 

вещество 

покидает 

поверхность 

или 

объем 

адсорбента. 

десорбция 

ионным 

ударом 

/ 

ionimpactdesorption — десорбция физически 

или 

хемоадсорбированных 

атомов 

и 

молекул  в  результате  удара  ускоренным 

ионом.  По  своей  природе  близка  ионному 

распылению. 

десорбция  полевая  /  fielddesorption  — 

удаление  адсорбированных  на  поверхности 

проводника  атомов  или  молекул  сильным 

электрическим  полем  (напряженностьюЕ~ 

10

7

-10

8

В/см);  наблюдается  в  широком 

интервале температур. 

десорбция 

температурно-

программированная/temperature 

programme  desorption  —  десорбция  в 

режиме 

программируемого 

изменения 

температуры 

во 

времени. 

Позволяет 

определить  энергию  активации  десорбции 

различных молекул в составе газовой смеси 

и другие важные параметры. 

 

десорбция  электронно-стимулированная/ 

electron  impact  desorption  —  уход  с 

Десорбция  

Desorption(от 

лат. 

de— 

приставка, 

обозначающая удаление и sorbeo -поглощаю) 

 

жұтылған зат  бетті немесе адсорбент кӛлемін 

тастап 

шығатын 

абсорбцияға 

және 

адсорбцияға кері процесс. 

 

Иондық  соққылау  арқылы  десорбциялау/ 

ionimpactdesorption 

үдетілген 

иондармен 

соққылау  нәтижесінде  физикалық  немесе 

химиялық  адсорбцияланған  атомдар  мен 

молекулалардың десорбциясы. 

 

Ӛрістік  десорбция/  fielddesorption  күшті 

электр  ӛрісімен  (кернеуі  Е  ~  10

7

-10

8

В/см) 

ӛткізгіш  бетіне  адсорбцияланған  атомдар 

немесе 

молекулаларды 

жою; 

температуралардың 

кең 

аралығында 

байқалады.  

Температуралық-программаланған 

десорбция / temperature programme desorption 

уақыт 

бойынша 

температураның 

программаланып 

ӛзгерісі 

режиміндегі 

десорбция.Газ  қоспасы  құрамындағы  әртүрлі 

молекулалардың 

десорбциялануының 

активация  энергиясын  және  басқа  да 

маңызды 

параметрлерді 

анықтауға  

мүмкіндік береді. 

Электронды-стимулденген 

десорбция/ 

electron impact desorption  беттен электрондар 

48 

 

поверхности 

атомов 

и 

молекул, 

находящихся  там  в  состоянии  физической 

адсорбции  (для  хемосорбции  этот  процесс 

маловероятен), 

стимулированный 

воздействием  электронов.  Важное  значение 

здесь 

имеет 

процесс 

возбуждения 

электронной 

подсистемы 

адсорбата 

падающими на него электронами. 

термодесорбция/ 

thermaldesorption 

— 

удаление адсорбированных атомов, молекул 

и  радикалов  с  поверхности  твердого  тела 

при его нагревании. 

 

фотодесорбция 

/ 

photodesorption 

— 

десорбция  физически  адсорбированных 

атомов 

и 

молекул 

в 

результате 

фотовозбуждения электронной подсистемы. 

 

әсерінен стимулданған физикалық адсорбция 

күйіндегі атомдар мен молекулалардың кетуі 

(хемосорбция 

үшін 

бұл 

процесстің 

ықтималдығы  тӛмен).  Мұнда  адсорбаттың 

электрондық  ішкі  жүйесінің    оған  түскен 

электрондардың    кӛмегімен  қозу  процесі 

маңызды. 

 

Термодесорбция/  thermaldesorption  қатты 

дене 

бетінен 

оны 

қыздырғанда  

адсорбцияланған 

атомдардың, 

молекулалардың 

және 

радикалдардың 

жойылуы. 

Фотодесорбция/ 

photodesorption 

электрондық 

ішкі 

жүйенің 

фотоқозуы 

нәтижесінде  физикалық  адсорбцияланған 

атомдар мен молекулалардың десорбциясы. 

Дете́ктор ионизирующего излучения 

Radiation  detector    (от  лат.  Detector  —  тот, 

кто  раскрывает,  обнаруживает),  ionizing-

radiation detector 

Прибор  для  регистрации  ядерных  частиц 

(протонов, 

нейтронов, 

альфа-частиц, 

мезонов,  электронов,  гамма-квантов  и  т.д.). 

Его  действие  основано  на  явлениях, 

возникающих  при  прохождении  излучения 

через  вещество.  Детекторы  могут  быть 

ионизационными, 

сцинтилляционными, 

трековыми и т.д., в зависимости от того, на 

каком  из  эффектов  основано  их  действие. 

По  агрегатному  состоянию  рабочего  тела 

различают  газонаполненные,  жидкостные, 

твердотельные 

детекторы. 

По 

типу 

регистрируемого  излучения  –  на  детекторы 

альфа-частиц,  бета-частиц,  гамма-квантов, 

нейтронов. 

Применяется 

в 

экспериментальных 

исследованиях 

на 

ускорителях  заряженных  частиц,  ядерных 

реакторах,  при  исследовании  космических 

лучей, а также в дозиметрии, радиометрии и 

т.д. 

Иондаушы сәулелену детекторы 

Radiation  detector    (  лат.  Detector  — 

анықтаушы), ionizing-radiation detector 

 

Ядролық 

бӛлшектерді 

(протондарды, 

нейтрондарды, 

альфа-бӛлшектерді, 

мезондарды, 

электрондарды, 

гамма-

кванттарды  және  т.б.)  тіркеуге  арналған 

аспап. Оның әрекеті зат арқылы ӛтетін сәуле 

туғызатын 

құбылысқа 

негізделген. 

Детекторлар 

жұмысы 

қай 

эффектіге 

негізделгеніне 

қарай 

иондаушы, 

сцинтилляциондық,  тректік  және  т.б.  болуы 

мүмкін.  Жұмыстық  дененің  агрегаттық  күйі 

бойынша  газбен  толтырылған,  сұйық,  қатты 

денелік  детекторлар  деп  бӛледі.  Тіркелуші 

сәуленің    типіне  қарай  альфа-бӛлшек,  бета-

бӛлшек,  гамма-квант,  нейтрон  детекторлары 

деп 

ажыратады. 

Ол 

эксперименталды 

зерттеулерде, 

зарядталған 

бӛлшектерді 

үдеткіштерінде, 

ядролық 

реакторларда, 

космостық  сәулелерді  зерттеуде,  сонымен 

қатар  дозиметрияда,  радиометрияда  т.т. 

қолданылады.  

Детона́ция 

Detonation,  combustion  knock,  explosion, 

pinking, sputtering (от ср.-век. Лат. Detonatio 

– взрыв, лат. Detonо – гремлю) 

Распространение 

со 

сверхзвуковой 

скоростью  зоны  быстрой  экзотермической 

химической 

реакции, 

следующей 

за 

фронтом  ударной  волны.  Ударная  волна 

инициирует  реакцию,  сжимая  и  нагревая 

Детонация 

Detonation, 

combustion 

knock, 

explosion, 

pinking,  sputtering  (орта  ғас.  лат.  Detonatio  – 

жарылыс, лат. Detonо – дүмпу) 

Соққы 

толқыны 

шебінің 

артынша 

экзотермиялы химиялық  реакция  аймағының 

дыбыс 

жылдамдығынан 

жоғары 

жылдамдықпен  таралуы.  Соққы  толқыны 

детонацияланушы  затты  қыса  және  жылыта 

49 

 

детонирующее  вещество  (газообразную 

смесь 

горючего 

с 

окислителем, 

конденсированное  взрывчатое  вещество). 

Фронт  ударной  волны  и  зона  реакции 

образуют  в  комплексе  детонационную 

волну. Выделяющаяся при реакции энергия 

поддерживает  ударную  волну,  обеспечивая 

самораспространение  процесса.  Детонация 

–  одна  из  основных  форм  взрывного 

превращения.  Она  может  распространяться 

в  газах,  твердых  и  жидких  веществах,  в 

смесях  твердых  и  жидких  веществ  друг  с 

другом и с газами. В последнем случае газ и 

конденсированное  вещество  могут  быть 

предварительно  смешаны  друг  с  другом 

(пены, аэрозоли, туманы). 

См. также напыление детонационное. 

отырып  (жанармайдың  тотықтырғышпен  газ 

тәрізді  қоспасын,  яғни  конденсацияланған 

жарылғыш  затты)  реакцияны  қоздырады. 

Соққы толқынның шебі және реакция аумағы 

бірлесе  отырып  детонациоялық  толқынды 

құрайды.  Реакция  нәтижесінде  шығарылған 

энергия 

процестің 

ӛздігінен 

таралуын 

қамтамасыз  ете  отырып,  соққы  толқынын 

қолдап  отырады.  Детонация  –  жарылыстық 

түрленудің  негізгі  түрлерінің  бірі.  Ол 

газдарда,  қатты  және  сұйық  заттарда,  қатты 

және  сұйық  заттардың  бір-бірімен  және 

газбен  қоспасында  тарала  алады.  Соңғы 

жағдайда  газ  және  конденсирленген  заттар 

алдын ала бір-бірімен араластырылған болуы 

мүмкін  (кӛпіршіктер,  аэрозолдар,  тозаңдар, 

тұмандар). 

Дефе́кт 

(дефекты) 

кристалли́ческой 

решѐ́тки 

Crystalline  defect,  lattice  defect,  structural 

defect  

Нарушения  периодического  расположения 

(чередования)  частиц  (атомов,  ионов, 

молекул)  в  кристаллической    решетке 

твѐрдого  тела,  которое  соответствует 

минимуму  еѐ  потенциальной  энергии. 

Способны  изменять  физические  свойства 

кристаллов. 

Кристалдық  тордың  ақауы  (ақаулары) 

 

Crystalline defect, lattice defect, structural defect  

 

Потенциалдық  энергияның  минимумына 

сәйкес  келетін,  қатты  дененің  кристалдық 

торындағы 

бӛлшектердің 

(атомдардың, 

иондардың, 

молекулалардың) 

периодты 

орналасуының 

(кезектесуінің) 

бұзылуы. 

Кристалдардың  физикалық  қасиетін  ӛзгерте 

алады. 

дефект  биографический  (собственный)  / 

biographical  defect  —  дефект  в  кристалле, 

образующийся  в  процессе  его  роста  в 

результате отклонения состава материала от 

стехиометрического, 

изменения 

температурных условий и т.д. 

биографиялық ақау (меншікті) / biographical 

defect  —  материалдың  ӛсу  процесінде  оның 

құрамының 

стехиометрліктен 

ауытқуы, 

температуралық  шарттардың  ӛзгеруі  және 

т.б.  нәтижесінде  пайда  болатын  кристалдағы 

ақау. 

дефект  внутренний  /  internal  defect  — 

дефект,  залегающий  на  некоторой  глубине 

от поверхности. 

 ішкі  ақау  /  internal  defect  —  беттен  белгілі 

бір тереңдікте жиналатын ақау. 

дефект  критический  /  critical  defect,  fatal 

defect — макроскопический  дефект  такого 

размера,  превышение  которого  при  данном 

приложенном  напряжении  приводит  к 

спонтанному разрушению тела. 

критикалық  ақау / critical  defect,  fatal defect 

—  денеге  түсірілген  кернеуде  шамасы  одан 

асып  кетсе  оның  ӛздігінен  қирауына  алып 

келетін макроскопиялық ақау. 

дефект одномерный / one-dimesional defect 

— дефект в виде линии.  

бір  өлшемді  ақау  /  one-dimesional  defect  — 

сызық түріндегі ақау. 

 

дефект  поверхностный  /  surface  defect  — 

дефект  упаковки  кристаллической  решѐтки 

на поверхности границы раздела фаз. 

беттік  ақау  /  surface  defect  —  фазаның 

бӛліну  шекарасы  бетіндегі  кристал  торының 

жинаушы ақауы. 

 

дефект  точечный  (нульмерный)  /  point 

(spot)  defect  —  нарушение  идеальной 

кристаллической  решетки,  ограниченное 

— нүктелік (нөл өлшемді) ақау / point (spot) 

defect  —  бір  немесе  бірнеше  түйінмен 

шектелген идеал кристалл торының бұзылуы. 

50 

 

одним или несколькими узлами. Дефектами 

точечными  являются  атомы  межузельные, 

вакансии, дивакансии. 

Түйінаралық 

атомдар, 

вакансиялар, 

дивакансиялар  нүктелік  ақаулар  болып 

табылады.  

дефект упаковки / stacking fault, dislocation 

— 

нарушение 

чередования 

плотноупакованных  атомных  слоев  в 

кристаллической решетке. 

—  жинаушы ақау / stacking fault, dislocation 

—  кристалдық  тордағы  тығыз  жинақталған 

атомдық қабаттар кезектестінің бұзылуы. 

 

дефект формы / shape defect — отклонение 

формы 

изделия 

от 

заданной 

технологическими 

условиями 

(напр, 

кривизна,  неплоскостность,  серповидность 

и т.д.).  

пішін  ақауы  /  shape  defect  —технологиялық 

шарттармен  белгіленген  бұйым  пішінінің 

ауытқуы  (мысалы,  қисықтық,  жазық  еместік, 

орақ тәріздік және т.б.). 

 

дефекты  замещения  /  substitutional  defect 

—  нарушения в кристалле, образующиеся в 

результате  замещения  частиц  матрицы 

основного  вещества  в  узлах  решетки 

(атомов,  ионов)  примесями,  встраиваясь  в 

нее тем легче, чем ближе атомные (ионные) 

радиусы 

примесного 

и 

матричного 

элементов,  и  подразделяются  на  две 

основные группы.  

        К  первой  группе  относятся  примесные 

атомы,  электронная  структура  которых 

подобна  электронной  структуре  атомов, 

входящих  в  состав  основного  вещества.  В 

этом  случае  они  не  нарушают  мотив 

идеальной  структуры  кристалла  или  сетки 

стеклообразного  материала,  но  в  силу 

различия в атомных размерах могут создать 

либо  короткодействующие  поля  упругих 

искажений,  если  атомные  размеры  близки, 

либо  дальнодействующие  поля  упругих 

искажений  при  значительной  разнице  в 

радиусах.  

       Второй  группой  дефектов  замещения 

являются атомы, которые в ином зарядовом 

состоянии  (обычно  отличающемся  на 

единицу),  чем  атомы  основного  вещества, 

имеют  изоэлектронную  с  ними  структуру. 

Такие  атомы  при  встраивании  в  решетку 

матрицы,  должны  отдавать  избыточный 

носитель  заряда  в  еѐ  энергетические  зоны 

(легирование 

полупроводников) 

или 

находящимся  поблизости  компенсаторам 

заряда.  

 

— орын басу ақауы  / substitutional defect —  

негізгі 

заттың 

кристалдық 

торының 

түйіндеріндегі 

матрица 

бӛлшектерін 

(атомдарды,  иондарды)  қоспамен  ауыстыру 

нәтижесінде  пайда  болатын  кристалдағы 

ақау.  Қоспалық  элементтің  матрицалық 

элементті  алмастыруы  олардың  атомдық 

(иондық)  радиустары  неғұрлым  жақын 

болған сайын оңай жүзеге асады және негізгі 

екі топқа бӛлінеді.  

Электрондық  құрылымы  негізгі  заттың 

құрылымына  ұқсас  атомдардың  электрондық 

құрылымдарына  ұқсас  қоспалық  атомдар 

бірінші  топқа  жатқызылады.  Бұл  жағдайда 

кристалдың  идеал  құрылымының  немесе 

әйнек  тәрізді  материалдың  торынының  ретін 

бұзбайды,  бірақ  атомдық  ӛлшемдерінің 

әртүрлілігінің 

әсерінен 

серпімді 

бұзылулардың  аз  уақыт  әрекет  ететін  ӛрісін 

тудыруы  мүмкін.  Егер  атомдық  ӛлшемдері 

неғұрлым 

жақын 

болса, 

серпімді 

бұзылулардың  алыстан  әрекет  ететін  ӛрісін 

тудырады. 

Орын  басу  ақауларының  екінші  тобына 

негізгі  зат  атомымен  салыстырғанда  басқа 

зарядтық  күйде  бола  тұра  (әдетте  бірлік 

зарядқа 

ерекшеленеді), 

олармен 

изоэлектрондық  құрылымға  ие  болатын 

ақаулар  жатады.  Мұндай  атомдар  матрица 

торына  орналасқан  кезде  артық  заряд 

тасымалдаушыларды  оның  энергетикалық 

зоналарына  немесе  заряд  коспенсаторларына 

жақын  орналасқан  торлардың  энергетикалық 

зоналарына беруі тиіс. 

дефекты  примесные  /  dash  defects  — 

собирательное  название  несовершенств 

кристаллической 

решѐтки, 

вызванных 

присутствием  в  ней  инородных  по 

отношению к матрице атомов. 

қоспалық  ақаулар  /  dash  defects  —атом 

матрицасына  қатысты  бӛгде  атомдардың 

болуы 

нәтижесінде 

түзілетін, 

кристал 

торының 

жетілмеген 

кемшіліктерінің 

жинақтық атауы;.  

51 

 

дефекты 

радиационные 

/ 

radiation(-

induced)  defects,  radiation  damages  — 

повреждения  кристаллической  структуры, 

образующиеся  при  еѐ  облучении  потоками 

быстрых 

частиц 

или 

высокоэнергетическими 

квантами 

электромагнитного излучения. 

— радиациялық ақаулар / radiation(-induced) 

defects, 

radiation 

damages 

—жылдам 

бӛлшектер  ағыны  немесе  электромагниттік 

сәуленің 

жоғары 

энергетикалық 

кванттарымен 

сәулелендіру 

нәтижесінде 

пайда  болатын,  кристал  құрылымының 

бұзылуы.  

Дефект покрытия 

Coating defect 

Нарушение  сплошности  в  напыляемом 

материале  покрытия  и  (или)  на  границе 

раздела  между  подложкой  и  покрытием, 

которое 

ухудшает 

эксплуатационные 

свойства покрытия. 

Жамылғы ақауы 

Coating defect 

Жамылғының 

эксплуатациялық 

қасиетін 

нашарлататын,  жамылғының  тозаңданатын 

материалында және (немесе) жабын мен етек 

арасындағы 

шекара 

бӛлігіндегі 

біртұтастықтың бұзылуы. 

Дефектоскопи́я 

Defectoscopy,  flaw  detection,  nondestructive 

testing 

Неразрушающий 

контроль 

качества 

металлов,  полуфабрикатов  и  изделий  с 

целью  выявления  их  дефектов.  Основан  на 

разных физических принципах (измеряемых 

параметрах). 

Широко 

используется 

ионизирующее излучение. 

 

Дефектоскопия (ақау кӛру) 

Defectoscopy,  flaw  detection,  nondestructive 

testing 

Металдардың,  жартылай  дайын  ӛнімдердің 

және 

бұйымдардың 

ақауын 

анықтау 

мақсатында сапасын  бүлдірмей бақылау. Әр 

түрлі физикалық принципке (параметрлермен 

ӛлшенетін) негізделген. Иондаушы сәулелену 

кеңінен қолданылады. 

дефектоскопия 

люминесцентная 

/ 

luminescent  defectoscopy,  fluoroscopic  flaw 

detection 

— 

метод 

капиллярной 

дефектоскопии, основанный на регистрации 

люминесцирующего  в  длинноволновом 

ультрафиолетовом  излучении  видимого 

изображения дефекта. 

—  люминисцентті  дефектоскопия  / 

luminescent  defectoscopy,  fluoroscopic  flaw 

detection  —  капиллярлық  дефектоскопия 

әдісі,  ақаудың  кӛрінетін  ұзын  толқынды 

ультракүлгін 

сәулеленуде 

люминесценциясын тіркеуге негізделген. 

дефектоскопия  радиационная  /  radiation 

defectoscopy —  дефектоскопия, основанная 

на  регистрации  поглощения  и  рассеяния 

проходящего через изделие ионизирующего 

излучения; 

выявляет 

внутренние 

несплошности 

и 

неоднородность 

по 

структуре и составу. 

—  радиацилық  дефектоскопия  /  radiation 

defectoscopy  —    бұйым  арқылы  ӛтетін 

иондаушы 

сәуленің 

жұтылуын 

және 

шашырауын 

тіркеуге 

негізделген 

дефектоскопия;  құрылымы  және  құрамы 

бойынша  ішкі  тұтас  болмауды  және 

біртексіздікті анықтайды. 

дефектоскопия рентгенографическая /  Х-

гау  testing  —  метод  с  использованием 

рентгеновского излучения. 

рентгенографиялық дефектоскопия / Х-гау 

testing 

—  рентген  сәулесін  қолдануға 

негізделген әдіс. 

жүктеу/скачать 4,15 Mb.

Достарыңызбен бөлісу: