Алматы 2015 Almaty


Внедрение языка программирования Си в школьную программу



Pdf көрінісі
бет10/130
Дата12.03.2017
өлшемі19,96 Mb.
#9035
1   ...   6   7   8   9   10   11   12   13   ...   130

Внедрение языка программирования Си в школьную программу 

Резюме.  В  данной  статьи  рассматривается  внесение  изменений  в  преподавании  информатики  для 

повышения  интереса  учашихся  к  предмету  и    умения  программирования.  Одним  словом,  внедрение  языка 

программирования Си в школьную программу. 

Ключевые слова: Информатика, язык программирования, язык программирования Си, информация. 

Aubekova M., Algozhaeva R., Мoldakalykova A. 



The introduction of the C programming language in the school curriculum 

Summary. In this article modification in teaching informatics for increase of interest of pupils in a subject and 

ability of programming is considered. In a word, introduction of the C programming language in the school program 



Key words: computer science, programming language,  C programming language, information. 

УДК 622.242 



Базархан К. бакалавр, Дуйсенов И.М. бакалавр, Федоров Б.В., Омарова Г.А. 

Казахский национальный технический университет им.К.И.Сатпаева 

г. Алматы, Республика Казахстан 

bkurmangali@gmail.com 



 РАЗРАБОТКА ПРИЛОЖЕНИЯ РАСЧЕТА МОЩНОСТИ

 

ПРИВОДА БУРОВОЙ УСТАНОВКИ.

 

Аннотация.  В  данной  работе  проведен  менее  трудоемкий  процесс  расчета  мощностей  привода  буровой 

установки, который позволяет существенно сократить время нарутинные расчеты мощностей. 



Ключевые  слова:  геология,  буровая  установка,  скважина,  мощность,  холостое  вращение,  бурильная 

колонна, разрушение забоя, информационные технологии. 

Для  расчета  мощности  привода  буровой  установки  необходимы  расчеты  доли  мощностей 

которое расходуется:  



71 

 на холостое вращение бурильной колонны N

хв

,

 на разрушение забоя скважины N



заб

 на  дополнительную  мощность  N

доп

, (затрачиваемую  на  преодоление  трения  вращающейся



бурильной колонны о стенки скважин).  

Необходимым условием является тот факт, что сумма упомянутых мощностей с учетом К.П.Д. 

их передачи бурильной колонне не должна превышать мощности привода установки N

дв



Для вычисления мощностей N

хв

 , N



заб

 , N


доп

, служит полуэмпирические формулы с входящими в 

них многочисленными переменными, что требует значительное расчетное время. 

Кроме  того,  часто  возникает  ситуация,  когда  расчетная  мощность  незначительно  превышает 

паспортную мощность и требуется уменьшение расчетных параметров, что бы добурить скважину до 

проектной глубины. 

Целью работы является сокращение времени на различные расчеты мощности, расходуемой на 

бурение,  и  принятие  рационального  решения  при  сравнении  результатов  расчетов  с  паспортной 

мощностью привода буровой установки. 

Для  достижения  этой  цели  разработана  компьютерная  программа  для  расчета  мощности, 

расходуемой на процессы, связанные с бурением скважины, по следующему алгоритму: 

Исходные данные: 

N

дв

 – мощность привода для вращения бурильной колонны. 



К

с

 – Коэфициент, учитывающий влияние смазки при вращении колонн;  



К

с

 = 1÷1,5. 



q – Масса 1м. бурильных труб, кг/м; q = 5÷40кг/м. 

d – Диаметр бурильных труб, м; d = 0,046÷0,4 м. 

L – Глубина скважины, м; L = 100÷10000м. 

Коэффициент трения шарошечного долота о забой скважины;  = 0,17.

P

g

 – Осевая нагрузка на долото, даH; P



g

 = 1000÷10000 даН. 

N – Частота вращения долота, об/мин; N=50÷500 об/мин 

D – Диаметр долота, м; D = 0,076÷0,49 м. 

м. (Зазор между стенками скважин и бурильной коллоной).



 - К.П.Д. трансмиссии от привода до вращателя.  = 0,75÷0,85. 

Алгоритм решения: 

1. Определяем мощность на холостое вращение бурильной колонны:

, [кВт] 

2. Определяем мощность, затрачиваемую на разрушение забоя скважин шарошечным долотом:

N

заб 



= 10

-3

 Р



g

 D, [кВт] 

3. Определяем  дополнительную  мощность  необходимую  для  преодоления  сопротивлений,

возникающих  при  трении  гребней  полуволн  вращающейся  бурильной  колонны  о  стенки  скважины 

при передаче осевой нагрузки на забой: 

N

доп



 = 2,45 10

-3

P N



 ,

[кВт] 


4. Определяем суммарную мощность, необходимую для бурения заданным долотом и заданных

режимах бурения: 

N

бур 


5. Сравнивая заданную мощность N

дв

 с расчетной мощностью N



бур. 

1) Если N

бур

дв

, то определяется разность N



дв

-N

бур



 и принимется решения, которое может быть

следующим: 

а)  Если  N

бур


<дв

,  то  рекомендуется  брать  двигатель  меньшей  мощности,  равной  N



бур

  или 


больше N

дв

 на 5-10%. 



б) Если N

бур


N

дв

, то принимается двигатель заданной мощности. 



2) Если N

бур


>N

дв

, то варианты решения следующие:



а)  Если  N

бур


>N

дв

,  на 10-15%, то  для  снижения  мощности  на  бурение  рекомендуется  понижать 



частоту вращения бурильной колонны n или осевую нагрузку P

g



б) Если N

бур 


>>N

дв

, то следует брать привод большей мощности, равный или несколько больше 



(на 5-10%) мощности N

бур. 


При  проектировании  приложения  использовали  следующие  компоненты  среды Delphi из 

палитры Standart: 1. Label; 2. Edit; 3. Button. 



72 

Для  защиты  приложения  несанкционированного  доступа  необходимо  авторизоваться  в  окне 

«Вход в программу»(Form2) посредством введения логина и пароля (Рисунок 1). 

Рисунок 1. Окно входа (Form2). 

При неверных данных авторизации невозможно воспользоваться приложением(Рисунок 2). 

Рисунок 2. Сообщение об ошибке при неверном введении данных. 

Для расчета мощности на бурение скважины необходимы расчеты: 

 мощности на холостое вращение бурильной колонны;

 мощность затрачиваемую на разрушение забоя скважины шарошечным долотом;

 дополнительную мощность необходимую для преодоление сопротивление возникающее при

трении гребней полуволн вращающейся бурильной колонны о стенки скважины при передаче осевой 

нагрузке на забой; 

которые доступны на главной странице (Рисунок 3).  

Рисунок 3. Окно главной страницы(Form1). 

В  данной  программе  возможен  выбор  расчета  мощностей  как  по  отдельности  так  и  суммарно, 

для этого необходимо перейти по одной из кнопок на главной странице выбрав необходимый расчет. 

Нажав  по  кнопке  «Мощность  холостого  вращения»,  откроется  новое  окно,  где  необходим  ввод 

данных (Рисунок 4). 

Рисунок 4. Окно «Мощность холостого вращения»(Form5). 


73 

Определяя  мощность  затрачиваемую  на  разрушение  забоя  скважины  шарошечным  долотом, 

необходимо нажать в «Главном меню» - «Мощность забоя скважины» (Рисунок 5). 

Рисунок 5. Окно«Мощность на разрушение забоя скважины» (Form7). 

Определяем дополнительную мощность необходимую для преодоления сопротивлений (Рисунок 6) 

Рисунок 6. Окно «Дополнительная мощность» (Form6). 

При общем расчете мощности на бурение скважины сплошным забоем шарошечными долотами 

необходимо кликнуть по кнопке «Мощность бурения» (Рисунок 7). Сразу можно получить ответы по 

всем пунктам. 

Рисунок 7. Окно «Мощность бурения» (From4). 



74 

Краткая информация о Руководителях проекта и студентов выполнявших данный проект можно 

найти в «Главном меню» по кнопке «Справка» (Рисунок 8) 

Рисунок 8. Окно «Справка». 

Разработка  программы  значительно  сокращает  время  на  рутинные  расчеты  и  облегчает  принятие 

решения в сложных ситуациях при сравнении расчетов мощностей и паспортных мощностей привода. 

Блок-схема 


75 

ЛИТЕРАТУРА 

1. Р.А. Ганджуиян, Н.А. Тунгусов, С.И. Минсков – Наземные буровые машины, механизмы и сооружения.

М:РГГУ,2006. 

REFERENCES 

1.R.A. Gandgujan, N.A.Tungusov, S.I. Minsckov –nazemnye burovye mashiny I mehanizmy I soorugenia. M:

RGTU, 2006 

Базарқан Қ., Дуйсенов И.М., Федоров Б.В., Омарова Г.А. 



Электр жетегіқондырғысынесептеукомпьютерлікбағдарламасынəзірлеу. 

Түйіндеме:  Бұл  жұмыс  айтарлықтай  күнделікті  есептеулер  қуаттарды  уақытына  зайтуға  болады  жетек 

бұрғылау қондырғысының қуатын есептеу аз тынымсыз процесінде. 



Түйін  сөздер:  геология,  бұрғылау  қондырғысы,  сондай-ақ,  қуат,  бірбұрғылау  жолды,  бет  жойылуын, 

ақпараттық технологияларды айналмалы. 

Bazarkhan K., Duisenov I., Fedorov B., Omarova G. 

Development of a computer program to calculate the power drive rig. 

Summary:  Inthiswork, a lesslaborious processof calculating thecapacity of the drive drillingrig, whichcan 

significantly reduce e the time forroutine calculations  capacities. 



Key words: geology, drillingrig, well, power, singlerotatingthedrillstring, thedestructionoftheface, 

informationtechnology. 

УДК 621.395.4:004.438 

Бажиков К.Т., Базарбай Ə.С.

 

бакалавр, Өтешова М.А. бакалавр 

Қ.И. Сатпаев атындағы Қазақ ұлттық техникалық университеті, 

 Алматы қаласы, Қазақстан Республикасы 

bajyk@mail.ru 



КЕУЕКТІ КРЕМНИДІҢ ОПТИКАЛЫҚ ҚАСИЕТТЕРІ  

Андатпа.  Бұл  мақалада  кеуекті  кремний  негізінде  əр  түрлі  құрылымының  оптикалық  қасиеттерінің 

ерекшеліктері  олардың  үлгінің  фазалық  құрамымен  байланысты  қарастырылған  жəне  оларды 

модификациялаудың  мүмкін  əдістері  көрсетілген.  Ультра  күлгін  (УК)  шыңы 210-270 нм  аралығындағы 

оптикалық  спектрінің  беткі  қабатын  атмосферада  ұстау  уақытына    байланысты  өзгеретіні,  бастапқы  өндіру 

технологиясы жəне беткі қабытты модификациялау əдістері көрсетілген. 

Түйін сөздер: кеуекті кремний, ультра күлгін, нанокристалл. 

Кеуекті  кремний  (ПК)  бірегей  физика-химиялық  сипатты  материал  болып  табылады.  Ол 

көптеген кеуектерден турады жəне беткі қабаты жақсы дамыған. Салыстырмалы ауданы – 100 м

2

-ден 



0,1см

3

.  Кеуектердің  көлденең  қимасының  өлшемі  бірнеше  нанометрден  бірнеше  микрометрге  дейін 



жетеді,  ал  кеуекті  қабаттың  қалыңдығы  өңдеудің  ұзақтығына  қарай  ондаған  микрометрге  дейін 

жетеді [1-4]. 

Кеуекті  кремний (por-Si) құрылымы  мен  қасиеттері  уақыт  өтуіне  қарай  өзгеретін  көп  фазалы 

күрделі жүйе болып табылады. Қазіргі кезде заманауи материалтану саласындағы көптеген жұмыстар 

кеуекті  кремнийге,  оның  сенсорлы,  каталитикалық  жəне  оптикалық  қасиеттеріне  бола  арналған. 

Кеуекті  кремнийдің  осы  аталған  қасиеттерін  тұрақтау  жəне  өзгерту,  сонымен  қатар  кеуекті 

кремнийдің незігінде жаңа композитті материалдар құру жеке мəселе болып табылады. 

Кремнийдің (Si) монокристаллды  пластинасының  беткі  қабатында  қалыптасқан  кеуекті  қабат 

кремнийдің  нанометрлі  өлшемдегі  кластерлері  мен  кванттық  тізбектерінен  тұрады.  Олардың  беткі 

қабатының кейбір бөліктері тотыққан, ал кейбір бөліктері сутегінің атомдарымен жəне гидроксильді 

топтармен қоршалған. 

Қазіргі  кезде  кеуекті  кремнийдің  оптикалық  қасиетінің  механизмдері  мен  үлгілері  туралы 

бірнеше  ортақ  гипотезалар  бар.  Ертеден  келе  жатқан  жəне  кең  қолданылатын  үлгілердін  бірі 

кванттық-өлшемді  үлгі  болып  табылады.  Оптикалық  қасиетінің Si-H байланыстардың  болуының 

салдары деп қарастырылатын үлгі бар. Ол байланыстар кеуекті кремнийдің бағандарының сыртында 

(нано) аморфты қабаттың пайда болу үрдісінде жəне оның сутектену кезінде құрылады. Оптикалық 

қасиетінің  кеуекті  кремнийдегі Si-SiO

2

  шекараларының  бар  болуына  байланысты  тағы  бір  үлгісі 



белгілі.  Ол  үлгіде  оптикалық  қасиетінің  пайда  болуына  ақауларға  толы Si-SiO

x

  шекарасы  жауапты 



76 

деп  ұйғарылады.  Кеуекті  кремнийдің  жоғары  салыстырмалы  беткі  қабаты  оның  едəуір  сорбциялық 

қабілетін қамтамасыз етеді. Ол кеуекті кремнийдің негізінде əртүрлі сенсорларды құру жағынан өте 

жағымды. 

Монокристаллды  кремнийдегі  кеуекті  қабат  гидрофлорлық  қышқылдың  негізіндегі  спирттік 

ерітінділерде  электрохимиялық  өңдеу  тəсілі  арқылы  салыстырмалы  оңай  алынады.  Бұл  үрдісте 

кеуектердің, кеуекті қабаттың өлшемі мен тереңдігін қадағалауға болады (кеуектер алатын көлемнің, 

кеуекті  қабаттың  ортақ  көлеміне  қатынасы),  ал  электролиттің  құрамын  өзгерткенде  кеуектердің 

сыртқы  қабатының  құрамын  белгілі  деңгейде  басқаруға  болады.  Сонымен  қатар,  кеуектердің  беткі 

қабатындағы  əлсіз  кремний-сутегі  байланыстардың  бар  болуы  кеуекті  кремнийдің  қасиеттерінің 

уақытқа  байланысты  тұрақсыздығын  ескертеді.  Кеуекті  қабаттың  біртіндеп  тотығуы Si-H 

байланыстардың бұзылу есебінен жəне олардың кремний-оттегі байланыстарымен жəне гидроксильді 

топтармен алмастырылуы оптикалық қасиетінің төмендеуіне алып келеді, материалдың сорбциялық 

сипаттамасын нашарлатады [2]. 

Осыған орай соңғы кездері кеуекті кремнийдің беткі қабатын пассивтеу əдістері қарқынды іздеу 

үстінде.  Бұл  кеуектердегі  беткі  қабаттардың  құлдырауын  басуға  мүмкіндік  береді.  Алайда,  кеуекті 

кремнийдің  сыртқы  қабатын  өзгерту  осы  материалдың  белгілі  бір  параметрлерін  алуға  мүмкіндік 

береді.  Ол  параметрлер  сенсорлы  құралдарды,  сонымен  қатар  микронды  жəне  субмикронды 

өлшемдегі  биологиялық  объекттердің – бактерияларды,  вирустарды,  тіпті  ДНҚ-дың  фрагменттерін 

бекітуде  қолданылатын  астарларды  құру  кезінде  маңызды.  Кеуекті  кремнийді  ауада  сақтау  кезінде 

беткі  қабатының  құлдырауын  болдырмау  үшін  беткі  қабатты  пассивтеудің  əртүрлі  нұсқалары 

ұсынылған.  Ол  нұсқалар  оттегі  ортасында  үлгілердің  тез  тотығуынан,  беткі  қабатты  жіңішке 

металлоксидті жəне полимерлі пленкамен жабудан тұрады. 

Кеуекті  кремний  үлгілері  балқытылған  қышқыл  изотропил  спирті  жəне  сутегі  перкисін 

қолданып, n-типті  кремний  астарын  электрохимиялық  жолмен  өңдеумен  алынды.  Кеуекті  кремний 

үлгілері атмосферада 1,3,7,14 жəне 40 күн ұсталды. 1-ден 40-қа дейінгі күн аралығында атмосферада 

ұсталған үлгілердің табиғи қартаю кезінде ультражұмсақ, ренгенді, эмиссионды USXES (Ultra Soft X-

ray Emission Spectroscopy) электроскопия  жəне  оптикалық  қасиетті  əдісі  арқылы  үлгілердің 

эталондық  құрылымына  зерттеулер  жүргізілді. 3d-металды  гальваникалық  тұндыру [3-4] 

сипатталғандай қалыпты процедураға сəйкес  бастапқы  Кеуекті кремний қабатына сəйкес Fe, Co, Ni 

тұздарының сульфатты сулы ерітінділерімен жүргізілді. 

Автоматталған Shimadzu UV-3600 спектрофотометрінің ASR камерасында (сезімталды спектрлік 

диапазоны 185-2400 нм) 1мВт  қуатпен  ұзындығы 240 нм  толқын  шығаратын  газды  шаммен 3d–

металл/por-Si-дің 

наноқұрылымдарының 

оптикалық 

спектрі 

өлшенді. 

Өлшеу 

бөлме 


температурасында жүргізілді. 

Кеуекті  кремний  құрамы  мен  қасиеті  уақыт  өте  өзгеретін  жеткілікті  күрделі  көпфазалы  жүйе 

болып табылатыны белгілі. Кристалды кремний Кеуекті қабаты (нано түрде) дефектілі SiO

x

 оксидін, 



SiO

2

  кремниінің  стехиометрикалық  оксиді  жəне  де  аморфты  жəне  реттелмеген  кремнидің  əр  түрлі 



формаларынан  тұрады.  Үлгіні  атмосферада  ұстау  уақытын  ұлғайту  соңғысының  пайдасына 

кристалды  фаза,  аморфты  кремний  оксиді  мен  фазалардың  коэффициентінің  өзгеруіне  əкелетін 

кеуекті қабаттың қышқылдануы бақыланады [5]. 

Жұмыста n типті  кеуекті  кремнийдің  оптикалық  қасиетінің  қарқындылығы  жəне  шыңы 

орналасуының,  фазалық  құрамына  тəуелділігі  көрсетілген.  УК  шыңының  орналасуы  185 – 270 нм 

арасында,  нанокристалдық  немесе  қандай  да  бір  кремнийдің  аморфтық  фазасы  басымдылығына 

байланысты өзгеретіні анықталды. Үлгілердегі дефектті оксидтер салыстырмалы құрамының өсуі УК 

қарқындылығының əжептеуір төмендеуіне əкеп соғады.       Көрсетілгендей, ферромагнетиктері бар 

кеуекті  кремний  негізіндегі  нанокомпозиттердің  оптикалық  қасиеттерін  белгілі  бір  өтпелі  металл 

немесе металдар қоспасын кеуекті кремний матрцасына енгізу жолы арқылы өзгертуге болады. Бұл 

ақпаратты жəне метаматериалдарды жазудың жаңа құралдарын құрудағы осы көзқарастың келешегі 

бар екеніне куəландырады. 

Жұмыс барысында біз кеуекті кремнийдің электронды құрылымы мен морфологиясын зерттедік. 

Кеуекті  кремний  полиакриьді  қышқылмен  өңдеуге  дейінгі  жəне  өңделгеннен  кейінгі  əр  түрлі 

жағдайда электрохимиялық ою арқылы алынды. 

1-суретте n-типті  кеуекті  кремнийдің  үлгілерінің 240 нм  толқын  ұзындығындықтағы  қоздыру 

көзі  əсерімен  полиакрилді  қышқылмен  өңдегенге  дейінгі  жəне  өңдегеннен  кейінгі  УК  спектрлері  

көрсетілген. 



77 

1-сурет. n-типті кеуекті кремнийдің оптикалық өткізу спектрі. 

n-типті  кеуекті  кремнийдің  УК  спектрінің  жолағы  күрделі  формалы  болып  келеді.  Ол  жерде 

бірқатар  ерекшеліктер  бар.  Ол  кеуекті  қабаттағы  əртүрлі  өлшемдегі  оптикалық  спектрімен  қатар, 

беткі  қабаттағы  сəулелік  спектрі.  УК  спектрінің  полиакрильдік  қышқылда  өңделгеннен  кейінгі 

қарқындылығының  артуын,  дефектті  субоксдтің SiO

x

-тің SiO


2

  дейінгі  тотығуы  кезіндегі  сəулесіз 

рекомбинация орталықтар санының кемуімен түсіндіруге болады [6]. 

ПАҚ-та  өңделгенге  дейінгі  жəне  өңделгеннен  кейінгі  бірдей  өлшемдегі  жəне  формадағы 

жағдайындағы  УК  спектрі,  өңделген  үлгілерінің  максимум  жағдайы  өңделмеген  үлгілерге  қатысты 

ұзын  толқындарға  қарай  ығысқан.  Бұл  дегеніміз,  беткі  қабатты  өңдеудің  жоғарғы  қабаттағы 

оптикалық қасиетінің орталықтарына күрделі əсер ететінін көрсетеді. 

Қорытынды 

Полиакрильді  қышқылды  (ПАК)  су  ерітіндісінде  кеуекті  кремниді  өңдеу  оның  оптикалық 

қасиеттерін жетілдіру мен өңдеудің өте қызықты əдісі болып табылатыны көрсетілген. Бұл жағдайда 

кеуекті  кремний  беткі  қабаты  полиакрильді  қышқылдың  өзара  əрекеттесуінің  екі  параллельді 

механизмі  бақыланады.  Бұлар  кремний  оксидінің  беткі  қабатының  тотығуы  жəне  беткі  қабаттан 

оксидтің еруі мен алып тастауы. Соңғы нəтижеге əсер ету дəрежесі кеуекті қабаттың морфологиясы 

мен  бастапқы  құрамынан  тəуелді.  Изопропил  спирті  бар HF ерітіндідегі  ерітіндімен  өңдеу  арқылы 

алынған  кеуекті  кремнидің  оптикалық  спектрінің  артуы  нанокристалдар  бетінде  дефектілі  оксид 

тотығуы  кезінде  безызлучательді  рекомбинация  центрінің  санының  азаюымен  байланысты  болуы 

мүмкін.  Ал  оптикалық  қасиетінің  өзгеруі,  ДМФА-дан  алынған  оксидті  қабатын  алып  тастау  мен 

нанокристалды  кремнидің  беткі  қабатта  пайда  болуы.  Өңделген  жəне  өңделмеген  үлгілердегі 

оптикалық  қасиетінің  арасындағы  қарым-қатынас  уақыт  өтуіне  байланысты  сақталады.  ПК  үлгілері 

терісінің  микрометрлік  көлденең  өлшемімен  оптикалық  қасиетінің  тек  ПАК-та  өңделгеннен  кейін 

көрсетеді. 

Бұл  берілген  функционалды  наноматериалдардың  қазіргі  заманғы  оптоэлектроникада 

перспективті қолдануын куəландырады. 

ƏДЕБИЕТТЕР 

1. Леньшин А. С., Кашкаров В. М., Голощапов Д. Л., Середин П. В., Полуместная К. А., Мараева Е. В.,

Солдатенко  С.  А.,  Юраков  Ю.  А.,  Домашевская  Э.  П..  Состав  и  реакционная  способность  нанопорошков 

пористого кремния. Неорганические материалы, 2012, том 48, № 10, с. 1–6. 

2. Н.Е. и др.// Физика и техника полупроводников, т. 44, вып. 1. С. 82-86. (2010).

3. Леньшин  А.С.,  Кашкаров  В.М.,  Турищев  С.Ю.,  Смирнов  М.С.,  Домашевская  Э.П.  Влияние

естественного старения на фотолюминесценцию пористого кремния. // Журнал технической физики, 2012, том 

82, вып 2, с. 150-152. 

4. Кашкаров  В.М.,  Леньшин  А.С.,  Попов  А.Е  и  др.  Состав  и  строение  слоев  нанопористого  кремния  с

гальванически осажденным Fe и Co // Известия РАН. Серия физическая. – 2008. – Т.72, №4. - С. 484 – 490. 


78 

5. Соцкая  Н.  В.,  Макаров  С.  В.,  Долгих  О.  В.,  Кашкаров  В.  М.,  Леньшин  А.  С.,  Котлярова  Е.  А.

Модифицирование поверхностей композитов наночастицами металлов. // НЕОРГАНИЧЕСКИЕ МАТЕРИАЛЫ, 

2010, том 46, № 11, с. 1316–1322. 

REFERENCES 

1. Lenshin А.C., Kashkarov B. M., Goloshapov D. L., Seredin P.V., Polumestnaya K. A., Maraeva E. V. ,

Soldatenko S. A., Yurakov Y. A., Domashevskaya E. P. The structure and reaction ability of nanopowders. Inorganic 

materials, 2012, tom 48, № 10, s. 1 – 6. (in Rus) 

2. N. E. and other.// The physic and technique of semiconductors, t .44, (in    Rus)

3.Lenshin A.S., Kashkarov V.M., Turishev S.Y., Smirnov M. S., Domashevskaya E.P. The influence of natural

aging on the photoluminescence of porous silicon. // The magazine of technique physic, 2012, vol. 82, ed 2, p. 150 – 

152. (in Rus) 

4. Kashkarov V.M., Lenshin A.S., Popov A.E. and other. The composition and structure of nanoporous silicon

layers with galvanic deposition Fe and Co// RAN. The physical seria. – 2008 – vol.72, №4 – p. 484 – 490. (in Rus) 

5. Sotskaya N.V., Makarov S.V., Dolgikh O.V.,. Kashkarov V. M, Lenshin A. S., Kotlyarova E. A. The surface

composite modifying with nanoparticles metals. // INORGANIC MATERIALS, 2010, vol.46, №11, p 1316 – 1322. (in Rus) 

Бажиков К.Т., Базарбай Ə.С., Өтешова М.А.

 

Оптические свойства пористого кремния 



Резюме.  В  данной  работе  рассмотрены  особенности  оптических  свойств  различных  структур  на  основе 

пористого кремния, их связь с фазовым составом образцов и предложены возможные способы их модификации. 

Показано,  что  положение  пика  УФ  меняется  в  пределах 210-270 нм  в  зависимости  от  времени  выдержки 

поверхности на атмосфере, исходной технологии изготовления и способа модификации поверхности.  




Достарыңызбен бөлісу:
1   ...   6   7   8   9   10   11   12   13   ...   130




©emirsaba.org 2024
әкімшілігінің қараңыз

    Басты бет