Бөлім 8 Жартылай өткізгіштердің оптикалық қасиеттері



бет13/17
Дата07.06.2023
өлшемі1,01 Mb.
#99523
1   ...   9   10   11   12   13   14   15   16   17
A(r, t) p^ − e A . (8.97)


c
Мұндағы A(r, t) -гармоникалық заң бойынша уақыт пен координаттарға тәуелді электромагниттік толқынның векторлық потенциалы. (8.83) пайдаланып, электронның толқындық функциясы үшін өрнегің жазайық,




Сурет. 8.32. Магнит өрісіндегі электрондар мен тесіктердің энергетикалық спектрі әр түрлі nc және nh мәндері. Нүктелі қисықтар аймақтық құрылымға сәйкес келеді h = 0 кезінде жартылай өткізгіш. Магнит өрісіндегі жартылай өткізгіштің тыйым салынған аймағының енінің шамаға тиімді өсуі байқалды ¯hωc + ¯hωh /2 магнит өрісінің қатысуымен кристалда:





ψc(x, y, z)= uc0
(r) exp i (
¯h
xx + pzz) · χn

(y). (8.98)



Мұндағы uc0(r)- - нүктедегі электронның толқындық функциясының блохов амплитудасы p = 0. Ұқсас өрнек (8.98) валенттілік аймағындағы тасымалдаушылардың толқындық функциясы үшін де орын алады.Айта кетейік толқындық функциялар. C және. V құрамында uc0(r) және uv0(r) функциялары бар, олар кристалл торының константасында тез өзгереді және баяу өзгеретін функциялар бар χ (y) exp i (p x + p z) .
Сондықтан да (8.96) Бүкіл Кристалл аймағы бойынша интеграциядан ыңғайлы өтуі кристалдың бірлік ұяшықтарының көлемі бойынша интеграцияланады Ω0.Нәтижесінде оптикалық ауысудың матрицалық элементі өрнек арқылы беріледі;
Vvc = − е/ m0c A0(ePvc)δpxp'x δpzpz' δnenh . (8.99)
Мұнда A0 — жарық толқынының векторлық потенциалының амплитудасы; e-электр өрісінің бірлік векторы E толқындар,

vc

Ω0

c0

v0


Достарыңызбен бөлісу:
1   ...   9   10   11   12   13   14   15   16   17




©emirsaba.org 2024
әкімшілігінің қараңыз

    Басты бет