Бөлім 8 Жартылай өткізгіштердің оптикалық қасиеттері
жүктеу/скачать 1,01 Mb.
|
основы физики полупроводников (1)[229-239].ru.kk
| A′(r, t) p^ − e A . (8.97)
c Мұндағы A′(r, t) -гармоникалық заң бойынша уақыт пен координаттарға тәуелді электромагниттік толқынның векторлық потенциалы. (8.83) пайдаланып, электронның толқындық функциясы үшін өрнегің жазайық, Сурет. 8.32. Магнит өрісіндегі электрондар мен тесіктердің энергетикалық спектрі әр түрлі nc және nh мәндері. Нүктелі қисықтар аймақтық құрылымға сәйкес келеді h = 0 кезінде жартылай өткізгіш. Магнит өрісіндегі жартылай өткізгіштің тыйым салынған аймағының енінің шамаға тиімді өсуі байқалды ¯hωc + ¯hωh /2 магнит өрісінің қатысуымен кристалда: ψc(x, y, z)= uc0 (r) exp i ( ¯h xx + pzz) · χn (y). (8.98) Сондықтан да (8.96) Бүкіл Кристалл аймағы бойынша интеграциядан ыңғайлы өтуі кристалдың бірлік ұяшықтарының көлемі бойынша интеграцияланады Ω0.Нәтижесінде оптикалық ауысудың матрицалық элементі өрнек арқылы беріледі; Vvc = − е/ m0c A0(ePvc)δpxp'x δpzpz' δnenh . (8.99) Мұнда A0 — жарық толқынының векторлық потенциалының амплитудасы; e-электр өрісінің бірлік векторы E толқындар, vc Ω0 c0 v0 жүктеу/скачать 1,01 Mb. Достарыңызбен бөлісу:
|