Лекция Электр қондырғылары және қауіпсіздік техникасы жөніндегі жалпы мағлұматтар. Электротехникалық материалдар, бұйымдар және олармен жұмыс. Жоспар Электр қондырғыларын түрге бөлу
Жұмыс істеу принципін талдау үшін
жүктеу/скачать 4,55 Mb.
|
| Жұмыс істеу принципін талдау үшін n-p-n типті транзистор жұмысын қарастырайық. Бастапқыда К-ға оң кернеу беріледі.
База-эмиттер өтпесіндегі кернеу мәні нольге тең болғанда, коллекторлық өтпе жабық, транзистор арқылы ток жүрмейді. Егер Uбэ0 және эмиттердегі кернеу базаға қарағанда теріс мәнді болғанда, эмиттер-база өтпесі тура қосылады. Осы кернеу әсерінен электрондар эмиттерден базаға жылжиды. База енінің жұқалығы электронның еркін жүрісі ұзындығына тең етіп жасалады. Сурет 22. Биполяр транзистордың құрылымы Заряд алған электрондар коллекторға өте жақын келеді де, күшті коллектор кернеуімен тартылып, коллекторға өтеді. Транзистор арқылы ток жүре бастайды. Сурет23. Биполяр транзистордың өтпелеріндегі өзгерістер. Биполяр транзистордың ортаңғы қабатының ені 1...20 мкм және тіпті одан да кіші болуы мүмкін. Сондықтан екі өтпедегі электрлік процестер бір-бірімен өте тығыз байланысты. Яғни бір өтпенің тогы екінші өтпенің тогына қатты әсер етеді және керісінше. Міне, осы байланыс транзистордың негізгі ерекшелігі. Сонымен бірге «эмиттер-база» өтпесіндегі жанасу аймағының көлеміннен «база-коллектор» өтпесіндегі жанасу аймағының көлемі әлдеқайда үлкен болса, мұндай бейсимметриялылық транзистордың параметрлеріне жағымды әсер етеді, яғни параметрлерін жақсартады. Әртүрлі типті транзисторда электрон мен кемтіктің қызметі әртүрлі. n-p-n типті транзисторлардың параметрлері әлдеқайда жоғары, себебі, n-p-n типті транзистордағы электрлік процестерде ток электрондардан түзіледі және электронның кемтікке қарағанда жылдамжығы 3-4 есе артық. Сурет 24. Биполяр транзистордың эквивалент сұлбасы. Егер транзисторды бір-бірімен жалғаса орналасқан екі диод деп қарастырсақ, «эмиттер-база» өтпесі әр уақытта да ашық, ал «база-коллектор» өтпесі жабық. Сондықтан эмиттер-база өтпесінің кернеуі аз да, ал коллектор-база өтпесінің кернеуі үлкен болады. Егер «эмиттер-база» өтпесінен электрондардың эмиттерден базаға инжекциялануы арқылы iЭ ток жүрсе, кемтіктердің базадан эмиттерге инжекциялануы нәтижесінде пайда болатын iБ тогы одан әлдеқайда аз, iБ< Биполяр транзистор құрамында қолданылатын қоспа концентрациясына байланысты дифффузиялық және дрейфтік болып бөлінеді. Диффузиялық биполяр транзисторларда базаның қоспа концентрациясы оның барлық бөлігінде бірдей және атом иондарының көмегімен өтпеде заряд тасымалдаушылар жылдамдығына әсер ететін қосымша электр өрісі пайда болмайды.
жүктеу/скачать 4,55 Mb. Достарыңызбен бөлісу:
|