Оқшауланған жаптырықты өрістік транзисторлар

1. Оқшауланған жаптырықты өрістік транзисторлар

2. Транзисторлардың жіктелуі мен таңбалануы

Негізгі түсініктемелер сөздігі: легирование, МДЖ-транзистор, МТЖ-транзистор.

Оқшауланған жаптырықты өрістік транзистор құрылымы – бұл аты айтып тұрғандай, каналға қатысты жаптырығы диэлектрик қабатымен оқшауланады. Бұл транзистордың жасалу технологиясы да басқаша. Қатаң ережемен берілген электрондық қасиеті бар шалаөткізгіш материалдарды дамыған шалаөткізгіш технологиямен (легирования) алу нәтижесінде пайда болды. Леги́рование ( латынның ligare — «байластыру» -деген сөзінен) — негізгі материалдың физикалық және химиялық қасиеттерін өзгерту (жақсарту) үшін құрамына қоспа қосу. Меншікті кедергісі өте жоғары п-типті төсенішке (Si(n)) кристал-пластинаға «байластыру» (легирование) әдісі бойынша екі р-типті аймақ енгізіледі. Бұл аймақтың электрөткізгіштігі төсеніштің электрөткізгіштігіне қарама-қарсы. Бұл аймақтар метал-электродқа жалғанған – құйылма және ағызба болып табылады. Екі аймақтың арасына жұқа диэлектрик жалатып (әдетте кремний тотығы -диэлектрик), үстінен метал қабаты жүргізіледі. Бұл - жаптырық. Бұл құрылымның ортасынан кесіп қарасаңыз, бір-бірімен кезектескен метал-диэлектрик-шалаөткізгіш қабаттарынан тұрады. Сондықтан оқшауланған жаптырықты өрістік транзисторды басқаша МДЖ-транзистор немесе МТЖ-транзистор деп те атайды (метал-диэлектрик-шалаөткізгіш немесе метал-тотық-шалаөткізгіш сөзтізбегінің бастапқы әріптері).

МТЖ-транзистордың кірмелі каналы бар және пайда болатын каналы бар екі түрі бар.

а) кірмелі каналымен МТЖ-транзистордың белгіленуі:

б) пайда болған каналы бар МТЖ-транзистордың белгіленуі:

Пайда болатын каналы бар МТЖ-транзисторларда енгізілген құйылма және ағызба аймақтары арасында канал жаптырық пен ағызба арасындағы кернеудің белгілі бір мәнінде және белгілі бір полярлықта ғана пайда болады (р-канал үшін кері кернеу және п-канал үшін оң кернеу болуы керек). Бұл кернеу (U_ЗИ.пор) шекті (пороговый) деп аталады.

Сурет 34. Оқшауланған жаптырықты өрістік транзистор құрылымы:

а) – пайда болған каналымен; б) – кірмелі каналымен.
Каналдың пайда болуы және оның өткізгіштігінің артуы каналдың негізгі заряд тасымалдаушыларға молайғанына байланысты болғандықтан, арна тек молаю режимінде ғана жұмыс істейді. Оны 35-суреттегі пайда болатын каналы бар МТЖ-транзисторлардың шықпалық сипаттамасынан көруге болады. Өрістік транзистордың кірмелік сипаттамасы тұрғызылмайды, өйткені жаптырық пен арнаның арасындағы өтпе жабық болатындықтан жаптырықтың тогы өте аз болады (10^-8 ...10^-9А шамасында). Сондықтан ол көбіне ескерілмейді.
Кірме каналы бар МДЖ-транзисторларда енгізілген құйылма және ағызба аймақтары арасында канал технологиялық жолмен U_Ж=0 болғанда жасалады. Құйылма тогы мәнін жаптырық пен ағызба арасындағы кернеудің мәні мен полярлығын өзгерту арқылы реттеуге болады..