Дәріс жартылай өткізгіштік физика негіздері. Жартылай өткізгіштердің электр өткізгіштігі. P-n ауысу теориясы. Негізгі және негізгі емес заряд тасымалдаушылар. Негізгі ақпарат
Температураның тиристордың шығыс ВАС-сына әсерi
жүктеу/скачать 1,04 Mb.
|
| Температураның тиристордың шығыс ВАС-сына әсерi
Температураның тиристордың қанығу аймағындағы ВАС-сына әсерi температураның диодтың ВАС-сына әсерi сияқты. Ол p-n ауысуындағы Upn кернеуi және базадағы Uб кернеулерiнiң температуралық тәуелдiлiктерiмен анықталады. U(T) = Upn(T) + UБ(T) = U(T0) + ТКН (Т - Т0). Тоқ тығыздығы төмен жағдайларда p-n ауысуындағы кернеудiң температуралық тәуелдiлiгi және кернеудiң температуралық коэффициенттерi рөлiнiң маңызы артады. Ал тоқ тығыздығы жоғарлағанда база кедергiсiнiң маңызы артады, бұл жағдайда тасымалдағыштар қозғалысының баяулауы себебiнен және басқа да сызықтық емес эффектiлер әсерiнен температура жоғарлайды. Тура тоқ тығыздығының жоғарлауы нәтижесiнде тиристордың қанығу режимiндегi ВАС-ндағы жүктеменiң температуралық коэффициентiнiң таңбасы өзгередi. Жүктеменiң температуралық коэффициентiнiң таңбасы өзгередi. Жүктеменiң температуралық коэффициентiнiң бұлай өзгеруiн тиристорларды эксплуатациялау (iске қосу) кезiнде ескеру керек, өйткенi ол аспап жұмысы сенiмдiлiгiнiң бұзылуына әкелiп соғады. Шын мәнiнде, температура өскен сайын аспаптан бөлiнiп шығатын қуат та өседi, бұл температураның одан әрi өсуiне әкелiп соғады да, өзiнен-өзi кету үрдiсi қалыптасуы мүмкiн. Қиылу (жабық) аймағындағы ВАС-ға температураның әсерi ең алдымен α тасымалдау коэффициенттерiмен Iko тоғының температуралық тәуелдiлiктерiмен анықталады. Температура жоғарлағанда тасымалдау коэффициентi өседi, бұл үрдiс тасымалдағыштар өмiрiнiң ұзаруымен байланысты, Iко тоғы да температура жоғарлағанда өседi. Сондықтан Т1-температурасының Т2-ге өтуi қосынды қисықтың αр+αn қозғалысымен байланысты және қайта қосылу нүктесiне төменгi тоқпен кернеу арқылы жетуге болады, сонымен қатар α(Т) температуралық тәуелдiлiгi шешушi рөл атқарады. Температуралық әсер ету деңгейiн эмиттерлi шунтирлеу арқылы төмендетуге болады, өйткенi бұл жағдайда аз тоқ кезiндегi тасымалдау коэффициентi төмендейдi. Тиристордың ВАС-ның керi тармағына температураның әсерi керi тоқтың температуралық тәуелдiлiгiмен анықталады (өте аз керi тоқ). Электрлiк тесiп өту аймақтарында, яғни өте үлкен керi тоқ кезiнде температуралық тәуелдiлiк белгiсi айқындала түседi. Төменде катодпен және анодпен басқарылатын динистор мен тринистордың шартты – графикалық белгiленулерi көрсетiлген. жүктеу/скачать 1,04 Mb. Достарыңызбен бөлісу:
|