Применение ионной имплантации для управления эксплуатационными свойствами. Ио́нная импланта́ция
производства полупроводников. Патент Шокли истек через 20 лет как раз к моменту
жүктеу/скачать 0,85 Mb.
|
| производства полупроводников. Патент Шокли истек через 20 лет как раз к моменту,
когда первые ионные имплантеры начали появляться на рынке, так что хотя Шокли и продемонстрировал глубокое понимание важности технологии, патент не принес значительных дивидентов его правообладателю. Создание и появление новых образцов оборудования, а также исследования в области имплантации продолжались в 60-е года прошлого века. Приобретенный в создании исследовательских ускорителей опыт привел к улучшению надежности оборудования, были изобретены новые технологии очистки (фильтрации) и транспортировки ионного пучка. Теоретические работы исследователей в данной области позволили развить теорию остановки ионов в материале мишени, что позволило получить точное распределение ионов на основе их энергии и угле падения, экспериментальные исследования выявили способы восстановления повреждений кристаллической структуры материала мишеней, вызванных имплантацией, с помощью техники высокотемпературного отжига. Вначале отжиг осуществляли при температурах 500-700°С, но более поздние исследования определили наиболее оптимальную температуру отжига в районе 900-1100°С. После разрешения всех вопросов связанных с новой технологией ионная имплантация быстро заменила существующую на тот период технику легирования полупроводников методом термодиффузии осажденных на полупроводник легирующих элементов благодаря ее непревзойденной точности, надежности и повторяемости. Такие известные производители интегральных микросхем как IBM и Western Electric, разработали и построили большое количество ионных имплантеров, которые использовали исключительно для своих целей. Но в начале 70-х на мировом рынке стали появляться модели коммерческих имплантеров, созданных молодыми и быстро жүктеу/скачать 0,85 Mb. Достарыңызбен бөлісу:
|