высокоэффективных центров пиннинга и значительного увеличения плотности критического тока. Фундаментальные исследования – еще одна область, где ионные имплантеры находят свое применение. Исследования новых свойств материалов или создание материалов с заранее требуемыми свойствами – это одни из задач, которые стоят перед современными учеными всего мира. Новые открытия в науке, особенно в области микро и нано-структур требуют использования сложнейшего и дорогостоящего оборудования. И технология ионной имплантации по прежнему будет востребована. Рыночная сегментация Ионные имплантеры, представленные на рынке можно разбить на три группы согласно их применению: иплантеры для применений с высокими ионными токами, для применений со средними токами и для применений где требуются высокие энергии. Для применений, где требуются высокие дозы имплантации, чем больше ионный ток, тем процесс имплантации происходит быстрее, соответственно производительность установки выше. Ионные токи таких процессов могут достигать порядка 25 мА. Производители оборудования затратили большие усилия на максимизацию ионных токов, особенно для небольших энергий ионов. И хотя имплантеры с высокими токами могут генерировать пучки ионов с токами и в области 10 мкА нестабильности ионных источников не дают возможности для применений таких токов для небольших доз. Короткие линии пробега ионов таких установок позволяют им работать в области энергий от 1 до 100-200 кэВ. Установки ионной имплантации на средних токах созданы для максимизации однородности доз и повторяемости. Это основные рабочие лошади производителей микрочипов. Их ионные токи находятся в области от 1 мкА до 5 мА и энергии ионов лежат в пределах 5-600 кэВ. Оконечные секции таких установок, где происходит
