пластины также необходимо тщательно контролировать для предотвращения вариации позиции легирующих атомов. Вариации глубины проникновения легирующих элементов также должны являться предметом пристального интереса. Тройное стандартное отклонение вариации в 1% для угла имплантации обычно достаточно для производства воспроизводимых характеристик электронных устройств. Создатели современных ионных имплантеров достигли уровня исполнения, при котором в их изделиях генерируются нужные дозы, энергии и углы падения пучков. Для них остается только достичь высокой производительности ионных пучков для энергий менее 10 кэВ. Продолжение уменьшения размеров электронных устройств увеличивает спрос на имплантеры для таких небольших энергий. Инженерам также надо поработать над задачами дальнейшего уменьшения загрязнений, связанных с процессами имплантации. Атомы предварительно имплантированных элементов при последующей имплантации могут быть выбиты на поверхность подложки (перекрестное-загрязнение) или возможно имплантация ионов нужных элементов но с неправильной энергией или зарядом (энергетическое загрязнение). На поверхность подложки возможно осаждение частиц привнесенных туда либо пучком ионов или при неправильном обращении с подложкой. Даже такие небольшие частички размером в 120 нм могут вызвать значительные потери пригодных областей пластин. И, наконец, металлические частички могут осесть на поверхность пластины, обычно вследствие распыления поверхностей элементов конструкции на пути ионных пучков или в наиболее худшем случае быть имплантированы в поверхность пластины (энергетическое металлическое загрязнение). Современные микроустройства настолько чувствительны к этим проблемам, что многие заказчики требуют уровни загрязнения пластин частичками или металлами
