развивающимися компаниями, часть которых вышла из HVEC и развила технологии, созданные производителями чипов. Эти производители чипов и стали первыми клиентами новых производителей оборудования. Современный ионный имплантер состоит из ионного источника, который производит ионы нужного элемента из таблицы Менделеева, магнитной системы, где ионы анализируются по их отношению энергии и массы и фильтруются, т.е на выходе магнита остаются только ионы с требуемым соотношением энергии и массы, ускорителя, т.е той части обрудования, где ионы электростатически приобретают или теряют энергию, системы отклонения пучка, где пучок ионов направляется по определенному алгоритму и камеры с мишенями, где ионный пучок находит свою цель, соударяясь с материалом мишени.
Применения технологии имплантации Основное применение технология ионной имплантации нашла в полупроводниковой индустрии для легирования полупроводниковых пластин. Легирование требуется для получения полупроводников p и n – типов, которые используются в создании транзисторов. Имплатированый ион создает в полупроводнике заряд (дырку или электрон), меняя при этом его проводимость, что позволяет создать на поверхности кремния, например, изолирующую поверхность. Для наиболее часто используемых легирующих элементов – бор, мышьяк, фосфор обычно используют газовый источник, соответственно требуются газы высокой чистоты. Еще одним из применений технологии является создание структур типа «кремний на изоляторе». В этом случае используется процесс получивший аббревиатуру SIMOX (Separation by IMplantation of OXygen) – разделение имплантированным кислородом. В обычную кремниевую пластину имплантируют большие дозы атомов кислорода. После
