столкновение ионов с подложкой дают возможность имплантации под углами вплоть до 60° от нормали к поверхности подложки. Это особенно важно для определенных применений, где требуется частично ввести легирующие атомы под предварительно уже сформированную структуру, см. рис.
Низкие операционные издержки для применений с низкими дозами отличают такого вида имплантеры от их собратьев с высоками токами. И только третий вид имплантеров может генерировать ионные токи с гигантскими энергиями. Коммерческие высокоэнергетические имплантеры генерируют токи для одно- заряженных ионов до величины примерно 1 мА. Энергии для множественно–заряженных ионов могут быть до 4000 кэВ, с ионными токами до 50 мкА. Имплантеры этого типа также могут производить ионные токи до 10 кэВ, позволяя им конкурировать в применениях со средними токами. Эта дополнительная особенность оправдывает большую стоимость этих установок. Современный имплантер может стоить порядка 2-5 млн. долларов США, в зависимости от модели и размеров обрабатываемых подложек. Требования к процессу Крошечные размеры транзистора, который лежит в основе любого микрочипа и который работает на частотах до 3 ГГц требуют высокой точности легирования. Для наиболее чувствительных устройств имплантируемая доза должна быть очень однородна. Тройное стандартное отклонение (3s) вариации в 1,5% является допустимым верхним пределом. Необходимо согласованно достичь одинаковой однородности на площади пластины до 300 мм в диаметре. Также очень критичным является повторяемость имплантации от пластины к пластине и от партии к партии. Энергия ионного пучка не должна превышать 3s вариации 3% по всем пластинам. Угол падения ионного пучка на поверхности
