легируемых элементов. Ионная имплантация позволяет заменить традиционную схему легирования поверхности кремниевых монокристаллов электрически активными примесями. В последние годы ионная имплантация стала основным методом введения примесей в полупроводниковые кристаллы. До этого времени самыми распространенными способами введения примесей были: введение примесей в процессе выращивания кристалла (эпитаксия), диффузия и сплавление. Эпитаксия позволяет наращивать на исходный кристалл слои с заданной концентрацией примесей; диффузионный метод основан на диффузии примесных атомов с поверхностного слоя в материал. Наконец, при сплавлении прилегающий к поверхности слой полупроводника расплавляют и в процессе последующей рекристаллизации (затвердевания) обогащают примесными атомами. В отличие от этих способов введения примеси в кристаллы технология ионной имплантации не зависит от пределов химической растворимости, а также от температуры в процессе имплантации и концентрации материала примеси в поверхностных слоях кристалла. Так как имплантация процесс термодинамически неравновесный, то с ее помощью можно создавать соединения и сплавы, которые принципиально нельзя получать традиционными методами, а также достигать концентраций внедренной примеси, существенно превышающих предел растворимости данной примеси в веществе мишени. Естественно, что при благоприятных условиях внедренные атомы также могут вступать в химические связи с атомами твердого тела. Это возможно как в процессе облучения, так и при последующей термической обработке. Технология ионной имплантации имеет ряд преимуществ, важных как с технологической точки зрения, так и сточки зрения проектирования
