Современные ионные имплантеры – это неотъемлемая часть оборудования большинства мировых чипмейкеров, а также передовых исследовательских лабораторий, которые работают в области микро и наноэлектроники. В основе процесса имплантации лежит легирование или другими словами изменение электрических характеристик кремниевых или других полупроводниковых пластин, которое включает в себя образование пучка ионов легирующего элемента, его ускорение и внедрение этих ионов в поверхность полупроводниковой пластины. По мере прохождения пути от ионного источника до поверхности пластины ионы могут приобрести дополнительную энергию (ускориться) или наоборот потерять часть энергии. Все это происходит благодаря переменным высокочастотным или постоянным электрическим полям.
Наиболее часто полупроводниковые пластины легируются такими элементами как мышьяк, бор, дифторид бора, фосфор, индий, сурьма, германий, кремний, азот, водород и гелий. Основы теории ионной имплантации были заложены в исследованиях физиков еще позапрошлого 19-го века: Нильса Бора, Томаса Резерфорда и других. Их работы были продолжены другими физиками и после разработки конструкции первого ускорителя Робертом Ван дер Граафом из MIT в конце 40-х годов была образована компания HVEC, которая стала неким инкубатором зарождавшейся технологии имплантации. Изобретение транзистора Уильямом Шокли в 1947 году дало новый толчок исследованиям в данной области. Шокли был первым, кто понял всю важность технологии для легирования полупроводниковых материалов, и его патентная заявка в 1954 году продемонстрировала блестящее понимание всех процессов. Это было задолго до того как технология ионного легирования стала применяться для массового
