отжига пластины образуется слой оксида кремния, который и служит изолятором. Такие структуры необходимы в производстве электронных компонентов. Имплантация кремния ионами кобальта, никеля и железа используется для создания магнитных нанокластеров и силицидов металлов. Композиционные материалы на основе магнитных нанокластеров находят применение при разработке новых элементов хранения информации. Силициды металлов используются также в качестве материалов для контактов и межсоединений элементов интегральных микросхем. Следующим применением ионной имплантации является мезотаксия - процесс похожий на эпитаксию. В мезотаксии рост фазо-согласованной гетероструктуры происходит с поверхности во внутрь полупроводника, путем имплантации ионов и выбором нужной температуры. Пример: Имплантация ионов никеля в кремниевую пластину образует карбид кремния, чья решетка ориентирована также как и кристаллическая решетка кремния. Технология имплантирования ионов азота применяются для упрочнения поверхности стальных режущих инструментов (фрезы, сверла и др). Имплантация этих ионов предотвращает образование трещин на поверхности металла и уменьшает коррозиционные и фрикционные свойства стали. Последние свойства важны в медицине, например, при изготовления протезов, в авиастроении для упрочнения лопаток авиадвигателей и космонавтике. Часто прибегают к одновременной имплантации ионов различных атомов. Это важно когда необходимо создать адгезию между материалами, которые в природе плохо смешиваются. Еще одно из применений технологии ионной имплантации нашлось для области сверхпроводниковых структур. Ионная бомбардировка высокотемпературных сверхпроводников семейства RBa2Cu3Ox может использоваться для создания
